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產(chǎn)品展示
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晶體方位測量設(shè)備

簡要描述:晶體方位測量設(shè)備用途單晶硅/晶圓的結(jié)晶方位測量,支持Si、藍寶石、GaAs、GaP、InP、InSb、SiC等化合物。側(cè)角機構(gòu)可以高精度地測定單結(jié)晶錠和晶片的結(jié)晶方位、外觀和外形。

  • 產(chǎn)品型號:SU-003
  • 廠商性質(zhì):代理商
  • 更新時間:2024-02-20
  • 訪  問  量:402
詳情介紹

晶體方位測量設(shè)備的特點:

1.實現(xiàn)角度測量的高精度化
根據(jù)獨自的測角系統(tǒng),實現(xiàn)高再現(xiàn)性和線性。
2.長期穩(wěn)定性能
機構(gòu)部具有很高的剛性和耐久性,能夠長期維持穩(wěn)定的性能。
3.采用X射線檔案峰值檢測功能
根據(jù)統(tǒng)計處理技術(shù),采用X射線檔案峰值檢測方式,可獲得高精度穩(wěn)定的角度測量性能。
4.高速、高精度測量
不僅有4方位測量功能,還有2方位測量功能,測量時間只需要4方位測量的1/2。(不包括SU-001)
方位測量是用球面幾何學(xué)精確求解結(jié)晶方位的X,Y傾斜度。為此以和4方位測定相同的精度求出。
5.X射線劑量測定系統(tǒng)
X射線量測定系統(tǒng)通過脈沖海分析儀降低散射等誤差原因,篩選出Cu的特性X射線,可進行高精度的測定。
6.采用高靈敏度檢測器(可支持偏移角大的結(jié)晶)
檢測器對應(yīng)檢測的X射線(Cu的K α)具有靈敏度。另外,由于是氣體檢測器,所以對X射線的入射位置和方向的檢測靈敏度的變動很小,對于結(jié)晶面的傾斜角的變化可以進行穩(wěn)定的測量。


晶體方位測量設(shè)備的參數(shù):

型式対象測定項目用途
SU-001インゴットVノッチ(オリフラ面)方位Vノッチ加工用円筒研削機に本裝置を取り付けて、Vノッチ方位を決定します。

?測定精度:±5′
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-002インゴットカット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位を測定します。

 ?測定精度:±30″
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-003ウェハVノッチ(オリフラ面)方位カット面方位(軸方位)?ウェハのカット面方位およびVノッチ方位と所定の結(jié)晶面との傾きを測定し、基準値と比較して良否判定をします。

?測定精度:±30″(カット面)
?対象ワークサイズ:2~18インチ
SU-005インゴットVノッチ(オリフラ面)方位、外観、形狀、重量Vノッチ加工後のインゴットについて、Vノッチの形狀?深さ?結(jié)晶方位、さらに、インゴットの欠け、傷、切削殘、直徑、重量を測定します。

測定精度:±5′
SU-021インゴットVノッチ(オリフラ面)方位カット面方位(軸方位)ウェハ加工前インゴットの軸方位とVノッチの結(jié)晶方位を同時に測定します。(側(cè)面の測定のみで軸方位を求めます。特許第3805869號)

?測定精度:±5′(カット面) ±3′(Vノッチ方位)








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